半導(dǎo)體硅片
在IC芯片制造領(lǐng)域中，等離子體處理技術(shù)已是一種不可替代的成熟工藝，不論在芯片源離子的注入，還是晶元的鍍膜，亦或是我們的低溫等離子體表面處理設(shè)備所能達(dá)到的：在晶元表面去除氧化膜、有機(jī)物、去掩膜等超凈化處理及表面活化提高晶元表面浸潤(rùn)性。
引線(xiàn)框架的表面處理
微電子封裝領(lǐng)域采用引線(xiàn)框架的塑封形式，仍占到80%以上，其主要采用導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性、加工性能良好的銅合金材料作為引線(xiàn)框架，銅的氧化物與其它一些有機(jī)污染物會(huì)造成密封模塑與銅引線(xiàn)框架的分層，造成封裝后密封性能變差與慢性滲氣現(xiàn)象，同時(shí)也會(huì)影響芯片的粘接和引線(xiàn)鍵合質(zhì)量，確保引線(xiàn)框架的超潔凈是保證封裝可靠性與良率的關(guān)鍵，經(jīng)等離子體處理可達(dá)到引線(xiàn)框架表面超凈化和活化的效果，成品良率比傳統(tǒng)的濕法清洗會(huì)極大的提高，并且免除了廢水排放，降低化學(xué)藥水采購(gòu)成本。
COB/COG/COF
隨著智能手機(jī)的飛速發(fā)展，人們對(duì)手機(jī)攝像頭像素的要求越來(lái)越高，如今用傳統(tǒng)的CSP封裝工藝制造的手機(jī)攝像模組像素已達(dá)不到人們的需求，而用COB/COG/COF封裝工藝制造的手機(jī)攝像模組已被大量的運(yùn)用到了現(xiàn)在的千萬(wàn)像素的手機(jī)中，但其制造的良率因其工藝特性往往只有85%左右，而造成的手機(jī)良率不高的原因主要在于離心清洗機(jī)和超聲波清洗做不到高潔凈度的清洗holder及Pad表面污染物，致使holder與IR粘接力不高及bonding不良的問(wèn)題，經(jīng)等離子體處理后能超潔凈的去除holder上的有機(jī)污染物和活化基材，使其與IR粘接力能提高2~3倍，也能去除Pad表面的氧化物并粗化表面，極大的提升了banding的一次成功率。
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