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奧坤鑫:大氣低溫等離子體拋光技術原理
2016.06.30
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  【等離子Plasma】大氣低溫等離子體拋光就是通過在常溫常壓下的等離子體化學反應來實現工件材料高效去除的一種新的超精密超光滑加工方法。 大氣低溫等離子體采用氣體輝光放電的方式產生。
 
  工作氣體通常包含等離子體氣體和反應氣體。其中,等離子體氣體是容易被大量激發的氣體,它通常不參與化學反應,主要負責維持有效的放電狀態和形成大面積高密度的等離子體放電,為反應氣體的進一步激發提供活性氛圍。
 
  【真空等離子設備】而反應氣體則是實現指定的化學反應的活性粒子的主要載體,負責為材料去處過程提供活性反應原子,其與等離子體氣體充分混合后以恒定的比例通入等離子體發生系統中,在等離子體氛圍下被激發,生成活性反應原子,活性反應原子與工件表面原子接觸后發生化學反應,實現原子級的材料去除,反應產物通常為強揮發性的氣體,因此不會對表面造成新的污染。
 
  因此大氣低溫等離子體拋光方法從本質上講是屬于化學性的材料去除技術。它不但避免了傳統的機械加工方法所固有的接觸施力的過程,也不存在常用的真空等離子體輔助性加工方法的離子濺射效應,還解決了常規的化學拋光存在的表面污染、難以定量控制等問題,是一種全新的、極具發展前景的超精密無損拋光技術。【卷對卷等離子處理設備

 
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